图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10.5 Ohm @ 750mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 包装材料 | Tube |
FQI1P50TU也可以通过以下分类找到
FQI1P50TU相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家